1.6 同步与非同步电源

首先,要区分同步和非同步的概念。通俗一点地说,在电路中,上管和下管都使用场效应管MOSFET的就是同步的。只有一个上管的开关而没有下管,或者是由一个二极管替代下管位置的,就是非同步的。因为在非同步电源中,下管是一个二极管,不需要控制,也就不存在控制器同步的问题。下面以图1.24和图1.25所示的Buck电路为例,来对比同步与非同步的区别。

图1.24 同步Buck变换器基本电路

图1.25 非同步Buck变换器基本电路

对同步电源而言,MOSFET有一个很重要的参数——导通电阻RDS(on)。一般的MOSFET的导通电阻都非常小,阻值大约几毫欧姆,所以MOSFET导通之后压降比较低。而且在同样的条件下, MOSFET的导通电压远远小于二极管的正向导通压降,在电流不变的时候,MOSFET上损耗的能量比二极管要小,所以同步电源的效率比二极管的要高。

当然,同步电路也有它的缺点。对于控制器芯片来说,对下管的控制需要额外的控制电路,使得上下管MOSFET的时序能够同步(上管打开时,下管关闭;下管打开时,上管关闭)。

对于非同步电源来说,由于输出电流在变化的时候二极管的压降是恒定的,导致在流过二极管的电流很大的时候,二极管功率等于二极管两端的电压值乘以通过它的电流值。在输出电压很低的情况下二极管的小电压占据了非常大的比重,它消耗的功率就非常大,所以在大电流的情况下,它的效率会非常低。效率低是非同步电源最大的缺点。

在早期半导体制造还不成熟的时期,二极管的价格要比MOSFET的价格低,就成本来说,非同步电源的更低一点。如果在输出电压比较高的时候,二极管正向导通的电压所占的比重很小,对效率的影响也就没那么大了。

同样,Boost及其他拓扑的电源都有同步与非同步的两种电路实现方式。随着半导体产业的进步,以及芯片的规模效应,同步电源逐步吞噬非同步的市场,占据了绝大多数市场份额。