- 模拟电子系统设计指南(基础篇):从半导体、分立元件到TI集成电路的分析与实现
- 何宾编著
- 276字
- 2024-01-05 17:18:54
2.3.2 少子电荷分布
由于大量的电子从N区扩散到P区,并且成为P区的少数载流子,因此定义热平衡时的N区多数载流子的电子浓度nn0 =Nd。从2.1.5节介绍的知识可知,nn0和np0的乘积为常数。
P区少数载流子电子的浓度np表示为:
![](https://epubservercos.yuewen.com/A93590/26763633309316706/epubprivate/OEBPS/Images/37_3.jpg?sign=1739441745-4CZTtMQrfRA2Fm4wgnFvE5rbZF22m1xd-0-f0aeb17f33b0fa3a3b7b75be8d91d330)
N区少数载流子空穴的浓度pn表示为:
![](https://epubservercos.yuewen.com/A93590/26763633309316706/epubprivate/OEBPS/Images/37_4.jpg?sign=1739441745-TEylOvRHayXKc5KIVZPbOHIlR3jn6YkR-0-6117a155631268c1c6bc0c605a515539)
同理,N 区的 pn也大于 pno。因此,正偏 PN结将在空间电荷区的每侧边缘处产生过量的少数载流子,如图2.10 所示。由于少子浓度与正向偏压VF 呈指数关系,所以施加相对较小的正向偏压也会导致少子浓度的显著增加。特别要注意的是,np和pn的浓度与离开PN结的距离呈指数关系衰减,直到达到各自的热平衡值np0和pn0 ,如图2.10所示。
![](https://epubservercos.yuewen.com/A93590/26763633309316706/epubprivate/OEBPS/Images/37_5.jpg?sign=1739441745-FXzgfcPuKMAJoOR2cagqIVCjvEhU5lvd-0-80132480491f895016936959a649b143)
图2.10 过量少数载流子浓度和电荷分布